Sandisk представил новую технологию nand флэш-памяти

Корпорация SanDisk сказала о достижении нового предела в производстве флэш-памяти и поделилась замыслами по запуску в марте-апреле 2008 г. серийного производства первой в мире NAND флэш-памяти с тремя битами на ячейку. Новая 16-гигабитная память x3 NAND производится по стандартному 56-нм техпроцессу, наряду с этим на выходе с одной пластины получается на 20% больше кристаллов, чем при производстве стандартной памяти NAND MLC с двумя битами на ячейку при том же техпроцессе. При однообразных капиталовложениях разработка x3 повышает эффективность производства и наряду с этим снижает цена кристалла. Работы над созданием архитектуры флэш-памяти x3 длились в течение двух лет. В новой архитектуре употребляются самые современные инновации и патентованные достижения, что разрешает достигнуть того же надёжности и высокого уровня производительности, что и в чипах SanDisk с двумя битами на ячейку.

Разработка с применением трех битов на ячейку памяти была создана в сотрудничестве с компанией Toshiba.

Согласно точки зрения SanDisk, разработка новой разработке с тремя битами на ячейку и скоростью записи, сопоставимой с существующей MLC-памятью, разрешит компании стремительнее реагировать на растущий рыночный спрос и создавать флэш-накопители с большей плотностью. Наряду с этим компания сможет существенно снизить их цена если сравнивать с MLC-памятью с двумя битами на ячейку, выпущенной по тому же техпроцессу.

Случайное видео:


Интересные записи: