Samsung приступил к производству памяти fb dimm

Samsung Electronics заявил о запуске производства нового поколения памяти для рабочих и серверов станций – абсолютно буфферизированных модулей (FB DIMM), сделанных с применением разработки DDR2. Для увеличения скорости обработки данных в FB DIM-модулях существенно увеличина плотность потока обрабатываемых данных регистровой памяти.

AMB (advanced memory buffer) чип был добавлен к каждому модулю памяти, дабы произошло применять в один момент высоко- и низкоскоростные интерфейсы. Пропускная свойство буфера находится в пределах от 3,2 до 4,8 Гбит/сек. Большая достигаемая скорость новой FB DIMM от Samsung – 4,8 Гбит/сек, что вдвое превышает скорость регистровых модулей памяти прошлого поколения DDR2-400, сделанных с применением компонентов разработки DDR2-800.

Сейчас с повышением частоты шины памяти уменьшалась частота обращений к слоту памяти. В архитектуре FB DIMM данный недочёт устраняется организацией прямых соединений, каковые разрешают нескольким модулям памяти быть соединенными последовательно для данного канала. Именно поэтому емкость возрастает. Все это разрешит расширить емкость канала до 8 Гбит/сек на канал, что в общем увеличивает пропускную свойство до 32 Гбит/сек при применении памяти 1 ГБ.

Благодаря FB DIMM увеличивается эффективность совокупности в целом за счет оптимизации архитектуры. В дополнение к сказанному выше применение памяти FB DIMM предотвращает неточности, появляющиеся в серверных совокупностях, в то время, когда количество модулей памяти превышает два на канал.

Samsung представил образцы FB DIMM 512 ГБ и 1 МБ, каковые абсолютно соответствуют стандарту JEDEC.

Случайное видео:


Интересные записи: