Кремний в микросхемах заменят нановолокнами, получаемыми по оригинальной методике

Группе норвежских исследователей удалось создать способ замены кремния в полупроводниковых микросхемах более идеальным материалом. Уникальная реализация данной технологии разрешит обойти существующие ограничения, связанные со особенностями кремниевых кристаллов, и окажет помощь сохранить темп прогресса в вычислительной технике – смотрите видео.

Из графена выращиваются полупроводниковые нановолокна путём бомбардировки его поверхности атомами галлия и мышьяка. Употребляется разработка послойного изготовления, базирующаяся на особенностях самоупорядочивания структуры.

Приобретаемый так гибридный материал является рядом выращенных на неспециализированной подложке волокон, владеющих полупроводниковыми особенностями. Целый процесс занимает пара мин..

Потому, что графен – это один слой атомов углерода с упорядоченным размещением, на его базе возможно изготавливать самые узкие полупроводниковые материалы. Свойства приобретаемых волокон легко варьировать, меняя условия их получения (температура, давление, свет, катализаторы, время) и количество атомов вторых элементов.

Кроме полупроводниковых особенностей такие волокна смогут владеть высокой теплопроводностью, что делает их хорошим кандидатом на роль термоинтерфейса с совершенно верно заданными параметрами.

На базе нановолокон, приобретаемых из графена, возможно изготавливать более идеальные солнечные панели – сверхтонкие, эластичные и полупрозрачные. О данном направлении фотоэлектроники “Компьютерра” писала ранее.

К разработке норвежцев громадной интерес показали наибольшие компании, такие, как IBM и Samsung. Это даёт надежды на скорое появление готовых изделий на базе данной разработке и начало необычной революции в микроэлектронике.

Случайное видео:


Интересные записи: