Гибридный транзистор ускорит работу беспроводных сетей

Группа исследователей из исследовательского центра Уотсона компании IBM в Нью-Йорке под управлением Гавама Шахиди (Ghavam Shahidi) заявила в прошлый вторник на конференции Bipolar-BiCMOS Circuits, состоявшейся во французском городе Тулуза, о создании транзистора, что будет трудиться втрое стремительнее сейчас существующих, а энергии потреблять наряду с этим на 80% меньше.

Согласно мнению ученых, разработка, применяемая при производстве простых микропроцессорных CMOS-транзисторов (комплиментарные металл-оксидные полупроводники, КМОП) более действенна для биполярных кремний-германиевых (SiGe) транзисторов. Они употребляются в микросхемах, трудящихся на радиочастотах, и, например, находящих использование в устройствах беспроводной передачи данных. Это связано с тем, что подобные транзисторы лучше усиливают не сильный радиочастотные сигналы, но при применении в качестве простых микропроцессорных транзисторов их эффективность, напротив, значительно снижается.

Применяя разработку создания слоя кремний на изоляторе, разрешающую уменьшить емкость биполярных транзисторов, ученые из IBM смогли расширить скорость их переключения. Такая разработка уже употребляется в последних моделях процессоров. Согласно точки зрения экспертов IBM, новая разработка открывает путь для размещения транзисторов обоих типов на одной подложке, что разрешит создать более стремительные и экономичные гибридные процессоры для беспроводной связи. На это, согласно точки зрения представителей компании, уйдет около пяти лет.

Источник: по данным издания New Scientist.

Случайное видео:


Интересные записи: