Американцы создали новый тип энергонезависимой памяти mram

Американская компания Freescale заявила о создании чипа магниторезистивной памяти ? MRAM (Magnetoresistive RAM). Среди отличительных изюминок MRAM возможно выделить записи и высокую скорость чтения, сравнимую с памятью Static RAM, и большой уровень интеграции ячеек.

Хранение данных на чипе осуществляется за счет магнитных, а не электрических особенностей. Так, память есть энергонезависимой, т.е. информация сохраняется на ней кроме того по окончании отключения питания. Запоминающий элемент MRAM подобен магниторезистивной головке твёрдого диска.

Производство чипов MRAM количеством 4 ГБ началось на фабрике в Аризоне около двух месяцев назад. За прошедшее время был создан товарный запас. Разработка же данной технологии длилась экспертами Freescale в течение 10 лет.

Многие производители чипов, включая IBM, годами разрабатывали подобную разработку, но Freescale первой удалось создать чип, годный к практическому применению в большинстве современных электронных устройств.

Согласно точки зрения экспертов, создание чипа MRAM есть важнейшим достижением в области памяти за последнее десятилетие. В отличие от флэш-памяти, кроме этого талантливой хранить данные без подачи питания, MRAM владеет большей скоростью чтения/записи и не теряет черт с течением времени.

Новая разработка сможет применяться в компьютерах для хранения ОС, которая при включении питания будет загружаться существенно стремительнее.

Случайное видео:


Интересные записи: